作者：张娜,姚素英,徐江涛 单位：南京电子器件研究所(中电科技集团公司第55所) 出版：《固体电子学研究与进展》2006年第03期 页数：5页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFGTDZ2006030150 DOC编号：DOCGTDZ2006030159 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 设计了一种适用于CMOS图像传感器的列并行Single-slopeADC。采用的列并行ADC，同时对多数据源并行处理，增强了数据吞吐量，特别适用于CMOS图像传感器大像素阵列的数据处理。分析了影响ADC精度的因素，并给出了减小失调的方法。该ADC在0.35μm工艺下成功流片验证，测试结果表明，该ADC，在50MS/s的高数据吞吐量下，实现了CMOS图像传感器的8bit精度的设计要求和17.35mW的低功耗，以及0.62mm2的芯片面积。ADC的DNL=0.8LSB，INL=1.096LSB。

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