作者：李辉,孙以材,潘国锋,邱美艳 单位：中国电子科技集团公司第十三研究所 出版：《半导体技术》2006年第10期 页数：4页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFBDTJ2006100170 DOC编号：DOCBDTJ2006100179 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 采用直流磁控反应溅射法制备了高温压力传感器用的AlN薄膜。用X射线衍射对薄膜的晶向结构进行了分析，研究了薄膜的绝缘特性和化学稳定性，分析了AlN与Si的热膨胀系数、热导系数的关系。选用AlN在力敏电阻条和硅弹性膜之间进行绝缘隔离，由于无p-n结，力敏电阻无反向漏电，得到了极好的压力传感器特性，即零点电漂移及热漂移小及非线性小。

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