作者:彭韶华,黄庆安,秦明,张中平 单位:中国科学院半导体研究所;中国电子学会 出版:《Journal of Semiconductors》2006年第02期 页数:5页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFBDTX2006020300 DOC编号:DOCBDTX2006020309 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
《CMOS集成电容湿度传感器》PDF+DOC2003年第06期 顾磊,秦明,黄庆安 《一种新型的CMOS集成湿度传感器》PDF+DOC2003年第Z1期 顾磊,秦明,黄庆安 《一种电压输出型CMOS集成电容湿度传感器》PDF+DOC2014年第09期 曹新亮,黄宝瑞 《融合RFID的无线湿度传感器节点设计研究》PDF+DOC2015年第08期 刘茂旭,何怡刚,邓芳明,李兵,张利华,吴翔 《基于WS_2纳米片的柔性湿度传感器制备与测试》PDF+DOC2019年第06期 吕文,谭秋林 《PI电容湿度传感器的研制》PDF+DOC1999年第04期 吴正元,陈涛,陈萍丽 《一种电容型高分子湿度传咸器研究》PDF+DOC1997年第05期 孙承松,周立军,李云鹏 《1976年应力应变测定的回顾》PDF+DOC1978年第02期 张仁岐 《CMOS工艺兼容的温湿度传感器》PDF+DOC2005年第07期 彭韶华,黄庆安,秦明,张中平 《ZigBee技术在仓储管理中的应用》PDF+DOC2008年第11期 王艳秋,曾维鲁,岳宇君
  • 设计并制备了一个CMOS工艺兼容的集成湿度传感器,将湿度传感器与CMOS测量电路集成在同一芯片上.片上集成的湿度传感器为叉指电容式,感湿介质为聚酰亚胺,本文给出了相应的感湿模型.针对湿度传感器在全量程电容变化量较小的特点,本文采用开关电容电路作为片上微电容测量电路,讨论了电路的原理并给出了模拟结果.芯片采用3μm多晶硅栅标准CMOS工艺进行流水.测量结果表明,片上集成湿度传感器在5~35℃有较好的直流输出特性,并且长时间稳定性良好。

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