作者：吴闽,黄钊洪 单位：中国航天科工集团公司第三研究院第八三五八研究所 出版：《红外与激光工程》2006年第S5期 页数：6页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFHWYJ2006S50120 DOC编号：DOCHWYJ2006S50129 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 介绍了锑化铟磁阻型光电传感器的结构及工作原理，并对锑化铟磁阻型光电传感器的输出特性进行了研究；随着间隙由0 mm 增至5 mm，放大后的光电传感器输出电压峰峰值由3 v多急剧下降至500 mV以下；若使输入光脉冲电压的频率保持50 Hz 不变，改变红外发光二极管输入光脉冲电压(变化范围 V_(PP)为3.8～5.0 V)，测量磁阻型光电传感器输出电压峰值 V_(PP)随输入光脉冲电压的增加按指数规律增加；磁阻型光电传感器的中心频率为50 Hz，通频带为46～55 Hz，即通频带宽度为9 Hz，可得其品质因数 Q 为5.56。

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