作者：林金阳,黄世震,林伟,陆培民 单位：中国航空工业集团公司;北京长城计量测试技术研究所 出版：《计测技术》2006年第S1期 页数：4页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFHKJC2006S10170 DOC编号：DOCHKJC2006S10179 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 利用霍耳效应成功地研制了WO3半导体气敏传感器。这种新型传感器不仅可以根据需要输出几毫伏至几十毫伏甚至几百毫伏的直流电压，而且具有其它半导体传感器所没有的优点——无需另外加热。在实验中对NO2气体进行检测，结果表明：传感器的输出霍耳电动势在几毫伏到几百毫伏之间，且随待测气体浓度变化而变化。因此，利用霍耳效应制作气敏传感器是一条完全可行的新思路。

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