作者：冯勇建 单位：中国仪器仪表学会 出版：《仪器仪表学报》2006年第07期 页数：4页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFYQXB2006070310 DOC编号：DOCYQXB2006070319 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 本文介绍了一种用SOI硅片和硅?硅键合MEMS技术制作的高温接触式电容压力传感器，并给出了详细的工艺制作流程。在对测试装置、测试电路进行了详细地介绍和深入分析后，用此测试电路对制作的传感器器件进行了高温测试。测试结果表明，传感器在小于250kPa的室温条件下工作，传感器的灵敏度为0.54 mV/kPa；而在400℃条件下工作，传感器的灵敏度为0.41 mV/kPa，传感器的零点飘移为0.1mV/℃。可见这种微传感器可在低于450℃的条件下正常工作，且具有很大的线性工作范围、良好的稳定性和较高的灵敏度。

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