作者：杨啸林,席力,李伟,李成贤,葛世慧 单位：中国航天科技集团公司第五研究院510研究所 出版：《真空与低温》2007年第01期 页数：4页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFZKDW2007010030 DOC编号：DOCZKDW2007010039 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 利用射频共溅射方法制备了一系列不同金属体积分数fv的Fe-SiO2金属-绝缘体颗粒膜。系统地研究了薄膜的微结构、磁性、隧道磁电阻效应(TMR)和巨霍耳效应(GHE)。在fv=0.33处得到最大磁电阻值为-3.3%，fv=0.52处饱和霍耳电阻率达最大值，为18.5μΩ.cm。在300℃以内的不同温度下将Fe0.52(SiO2)0.48颗粒膜回火，霍耳电阻率随温度的变化不大，即样品具有良好的热稳定性。这表明Fe0.52(SiO2)0.48颗粒膜在工作于300℃下的磁场传感器方面有很好的应用前景

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