作者：胡明,冯有才,尹英哲,陈鹏 单位：中国电子科技集团公司第十三研究所 出版：《微纳电子技术》2007年第Z1期 页数：3页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFBDTQ2007Z10310 DOC编号：DOCBDTQ2007Z10319 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 采用直流反应磁控溅射法，在未抛光的Al2O3基片上制备WO3薄膜，在干燥空气中经过热处理；利用SEM观察薄膜表面形貌；通过XRD测量，对薄膜的晶体结构进行分析；薄膜氢敏特性测试采用静态配气法。经过400℃热处理，当工作温度在270℃时，对体积分数为3&#215；10-4%H2的灵敏度达到了77，稳定性较高、选择性好、响应时间在15s以内。WO3薄膜是一种较理想的氢敏材料，在氢敏传感器的设计中必定会得到足够的重视和广泛应用。

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