《4T-PPD-APS光子辐射响应特性分析》PDF+DOC
作者:徐守龙,邹树梁,黄有骏,匡雅,郭赞
单位:中国光学学会
出版:《光学学报》2018年第05期
页数:6页 (PDF与DOC格式可能不同)
PDF编号:PDFGXXB2018050040
DOC编号:DOCGXXB2018050049
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分析了含有4个晶体管的钳位光电二极管有源像素传感器(4T-PPD-APS)的结构特点以及γ射线光子在像元内的能量沉积过程。通过建立传感器像元及像素阵列仿真计算模型,并结合γ射线辐射响应实验,对有源像素传感器(APS)在不同光子能量及不同放射性水平条件下的响应特性进行了研究。研究结果表明:γ光子在光电二极管空间电荷区内沉积能量并形成扩散光电流是APS发生光子响应现象的根本原因;像素值的平均值随剂量率的增大呈先增大后趋于饱和的趋势;当典型事件区域内出现多个峰值时,像素值的统计值不能准确反映辐射场放射性水平。
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