作者：赵吉成,曹全喜,王霞 单位：中国电子学会;中国电子元件行业协会 出版：《电子元件与材料》2007年第02期 页数：3页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFDZAL2007020150 DOC编号：DOCDZAL2007020159 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 实验研究了Bi2O3掺杂量对钛酸锶钡/氧化镁复合体系介电常数、介质损耗等性能的影响。结果表明控制掺杂Bi2O3质量分数在0.25%左右时，Ku频段f在12~18 GHz，εr为170左右，tanδ为0.01左右，材料的电性能得到大大的改善，满足了雷达移相器的应用要求。

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