作者:宋文超,柳滨,种宝春 单位:中国电子科技集团第四十五研究所 出版:《电子工业专用设备》2007年第10期 页数:4页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFDGZS2007100050 DOC编号:DOCDGZS2007100059 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
  • 化学机械抛光是晶片全局平坦化的关键技术,其中终点检测系统是影响抛光效果的关键。如果不能有效地检测抛光过程,便无法避免硅片产生抛光过度或抛光不足的缺陷。基于光学干涉薄膜测厚原理,给出了一种CMP在线终点检测装置。

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