作者:刘晓为,潘慧艳,揣荣岩,王喜莲,李金锋 单位:中国微米纳米技术学会;东南大学 出版:《传感技术学报》2007年第11期 页数:5页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFCGJS2007110160 DOC编号:DOCCGJS2007110169 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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  • 重掺杂多晶硅纳米薄膜具有良好的压阻温度特性,用它制作高温压阻式传感器灵敏度高、成本低,具有广阔的应用前景.为优化多晶硅纳米薄膜的压阻温度特性,本文采用低压化学气相淀积(LPCVD)技术制作了不同膜厚(30~250 nm)的多晶硅薄膜,分别测试了应变系数、薄膜电阻率与工作温度的关系.利用扫描电镜(SEM)和X射线衍射实验(XRD)对薄膜进行了表征,在此基础上结合隧道压阻模型分析了膜厚对多晶硅薄膜压阻温度特性的影响,结果表明,对于淀积温度620℃、掺杂浓度2.3×1020cm-3的多晶硅纳米薄膜,膜厚的最佳值在80 nm厚左右。

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