《膜厚对多晶硅纳米薄膜压阻温度特性的影响》PDF+DOC
作者:刘晓为,潘慧艳,揣荣岩,王喜莲,李金锋
单位:中国微米纳米技术学会;东南大学
出版:《传感技术学报》2007年第11期
页数:5页 (PDF与DOC格式可能不同)
PDF编号:PDFCGJS2007110160
DOC编号:DOCCGJS2007110169
下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
《掺杂浓度对多晶硅纳米薄膜应变系数及其线性度的影响》PDF+DOC2009年第01期 陆学斌,刘晓为,揣荣岩,施长治
《多晶硅薄膜制备工艺及其应用发展》PDF+DOC2014年第02期 李海博,尹延昭,郑丽
《压阻式传感器热灵敏度漂移的变压源补偿》PDF+DOC2000年第03期 吴亚林,赵扬
《硅压阻式压力传感器温度性能的改善》PDF+DOC1982年第04期 刘君华,丁胜群
《多晶硅纳米薄膜压阻和电学修正特性》PDF+DOC2020年第07期 陆学斌,于斌
《多晶硅高温压力传感器的温度特性》PDF+DOC2002年第01期 张为,姚素英,张生才,曲宏伟,刘艳艳,张维新
《多晶硅纳米薄膜压阻式压力传感器》PDF+DOC2009年第09期 王健,揣荣岩,何晓宇,刘伟,张大为
《基于BOTDR的分布式光纤传感器标定实验研究》PDF+DOC2006年第09期 索文斌,施斌,张巍,崔何亮,刘杰,高俊启
《传感器灵敏度补偿对其温度特性的影响》PDF+DOC1995年第04期 钟海见,陈群
《传感器弹性体材料的杨氏模量的温度依从关系》PDF+DOC1985年第05期 徐罗庚
重掺杂多晶硅纳米薄膜具有良好的压阻温度特性,用它制作高温压阻式传感器灵敏度高、成本低,具有广阔的应用前景.为优化多晶硅纳米薄膜的压阻温度特性,本文采用低压化学气相淀积(LPCVD)技术制作了不同膜厚(30~250 nm)的多晶硅薄膜,分别测试了应变系数、薄膜电阻率与工作温度的关系.利用扫描电镜(SEM)和X射线衍射实验(XRD)对薄膜进行了表征,在此基础上结合隧道压阻模型分析了膜厚对多晶硅薄膜压阻温度特性的影响,结果表明,对于淀积温度620℃、掺杂浓度2.3×;1020cm-3的多晶硅纳米薄膜,膜厚的最佳值在80 nm厚左右。
提示:百度云已更名为百度网盘(百度盘),天翼云盘、微盘下载地址……暂未提供。