作者：路孟喜,曹健 单位：中国电子科技集团公司第十三研究所 出版：《半导体技术》2007年第08期 页数：4页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFBDTJ2007080110 DOC编号：DOCBDTJ2007080119 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 简要说明了红外辐射测量技术的工作原理与理论基础以及红外测量的特点。MOCVD硅片外延生长过程中反射率是实时变化的，但传统红外测量方法无法实现反射率的实时测量，因此造成较大的测量误差，无法准确反应外延片的表面温度，同时无法实现对生长速率的在位测量。德国AIXTRON公司的MOCVD测量系统中加入了由脉冲信号控制的LED红外发光器件，实现了温度与反射率、生长速率与膜厚的在位实时测量，从而达到对温度和膜厚的精确控制，取得良好的实验效果。

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