作者：曾云,金湘亮,胡磊,王太宏 单位：中国科学院光电技术研究所;中国光学学会 出版：《光电工程》2007年第07期 页数：4页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFGDGC2007070180 DOC编号：DOCGDGC2007070189 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 详细分析了用于CMOS图像传感器的新型半导体光电器件的工作原理和光电特性，建立解析模型确定由其构成的像素单元的填充系数，优化光电响应特性。由于引入PN注入结，新型光电器件沟道电流同时存在电子电流和空穴电流，提高了器件的响应灵敏度，避免了大的寄生电容，提高了信噪比。

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