作者：张筱朵,秦明 单位：中国微米纳米技术学会;天津大学 出版：《Nanotechnology and Precision Engineering》2007年第04期 页数：4页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFNMJM2007040260 DOC编号：DOCNMJM2007040269 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 提出了一种MEMS后处理中正面结构释放的正面保护方法.尤其是针对在CMOS-MEMS工艺制造单片集成传感器时，MEMS后处理工艺中正面体硅湿法腐蚀时对已制作完成的CMOS电路部分的表面铝引线、铝焊盘和钝化层下多晶层的保护方法.将一种新型的复合膜结构和优化后的TMAH腐蚀液相结合，可以保证长时间高温腐蚀时腐蚀液不会渗透到钝化层下，同时完成正面MEMS结构释放.具有与CMOS工艺兼容、工艺实现简单等特点。

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