《直流反应磁控溅射WO_3薄膜气敏特性研究》PDF+DOC
作者:尹英哲,胡明,冯有才,陈鹏
单位:中国微米纳米技术学会;东南大学
出版:《传感技术学报》2007年第04期
页数:3页 (PDF与DOC格式可能不同)
PDF编号:PDFCGJS2007040090
DOC编号:DOCCGJS2007040099
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用直流反应磁控溅射法制成纳米结构的WO3薄膜气敏传感器,通过XRD,SEM和XPS对该薄膜的晶体结构和化学成分进行分析,研究了不同基片上制备的WO3薄膜的氨敏特性与薄膜厚度、退火温度的关系.实验得到的薄膜粒径大小约30-50nm,结果表明:在未抛光的三氧化二铝基片上沉积厚度为40nm的WO3薄膜,经过400℃退火,在体积分数为5×;10-5NH3中的灵敏度达到300,而且气体选择性好,响应-恢复时间短,可以作为理想的氨敏元件。
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