作者：张邦维 单位：中国电子科技集团公司第十三研究所 出版：《微纳电子技术》2007年第04期 页数：6页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFBDTQ2007040000 DOC编号：DOCBDTQ2007040009 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 2.4磁头尺度的逐次减小在对磁头进行了上述分析之后，现在来看看磁头尺度逐次减小的具体情况。IBM Almaden研究中心储存器件部的经理Grochowski对他们从1991年制造的MR磁头发展到2005年制造的GMR磁头尺寸逐次减小的趋势，作成表1和图7表述[26]。从图7可以看到，磁头传感器宽度从1991年MR磁头的4.5μm减小到现在GMR磁头的0.12μm，而GMR结构中的层厚则从64 nm减小到10 nm，清楚地显示了磁头的逐次小型化。磁头传感器尺度的降低导致磁道的增加，

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