作者：章晓中 单位：中国仪器仪表学会仪表材料分会;重庆仪表材料研究所 出版：《功能材料信息》2007年第05期 页数：1页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFGNCX2007050410 DOC编号：DOCGNCX2007050419 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 发明了一类新型磁阻材料——沉积于硅基片上的金属掺杂的纳米半导体非晶碳基薄膜材料，它们具有优异的低场磁电阻效应，在磁场为2.388&#215；10~4A/m时，磁阻可达30%以上，灵敏度可以与自旋阀结构的GMR材料相比美。这些材料还有优异的电致电阻效应，在室温时，它们的电致电阻可达70000%。新材料还有新颖的电磁特性，如它们的磁阻可正可负，具有电流-电压曲线的不可逆性，微分负电阻效应。研制的这类材料不仅有新颖的物理特性，具有很大的科学研究价值，而且它们的某些物性已达到了应用的程度，可望在信息工业上(高密度读出磁头、磁传感器、电学量传感器、场效应器件、温度敏感器件等领域)获得应用。

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