作者:邱美艳,孙以材,潘国锋,杜鹏,李辉 单位:中国电子学会;中国电子元件行业协会 出版:《电子元件与材料》2007年第05期 页数:4页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFDZAL2007050150 DOC编号:DOCDZAL2007050159 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
《Al_2O_3掺杂ZnO基高选择性丙酮气体传感器》PDF+DOC2017年第01期 郭学海,潘国峰,李祥州,何平,杨帆 《SnO_2—ZnO半导体陶瓷气敏特性的研究》PDF+DOC1988年第01期 鲍凤歧,金国骍,王之义,季秉厚,张存生,邹德长,赵春光 《Ce掺杂ZnO纳米纤维的气敏特性研究》PDF+DOC2016年第01期 万桂新,郭鹏,常文利 《丙酮气敏传感器研究进展》PDF+DOC2017年第S1期 林毓韬,张谨,邓宇翔,张裕敏 《Al_2O_3掺杂ZnO微米花对丙酮超高灵敏度和优异选择性》PDF+DOC2017年第02期 刘唱白,刘丽,刘星熠 《稀土掺杂ZnO半导体气敏传感器的性能研究》PDF+DOC1999年第04期 王晓平 《用溅射法制备ZnO薄膜丙酮气敏传感器》PDF+DOC2005年第12期 赵卫萍,孙以材,王小捧,宫云梅 《TiO_2基有机气体敏感元件的制备及性能研究》PDF+DOC2005年第06期 王欢,肖定全,胡国斌,余萍 《低功耗烧结气敏元件制备和气敏特性研究》PDF+DOC2002年第07期 王兵,焦正,陈峰,刘锦淮 《多孔ZnO纳米片的制备及气敏性能研究》PDF+DOC2012年第06期 巩飞龙,张永辉,肖元化,卢灵珍,张爱勤,李峰
  • 用直流磁控反应溅射法,分别在Si(111)基片及Al2O3陶瓷基片上制备了ZnO薄膜,并进行TiO2、SnO2、Al2O3或CuO的掺杂和退火处理。用XRD分析了退火前后晶型的变化,利用气敏测试系统对各样品进行了气敏特性测试。结果表明:经过700℃退火后的样品,在最佳工作温度为220℃时,对丙酮有很好的选择性和很高的灵敏度(34.794)。掺杂TiO2或SnO2,可提高ZnO薄膜传感器对丙酮的灵敏度(57.963)。

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