作者：高静,姚素英,史再峰,徐江涛 单位：天津理工大学 出版：《光电子·激光》2007年第10期 页数：4页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFGDZJ2007100050 DOC编号：DOCGDZJ2007100059 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 提出了一种在标准CMOS工艺下实现时间延迟积分(TDI)功能的电路结构，电路采用一面阵CMOS像素阵列，通过像素列曝光累积实现了TDI功能。详细分析了器件噪声和积分器噪声对电路的影响，提出了器件级噪声优化公式。电路采用SMIC 0.35μm CMOS工艺实现。仿真结果表明，该电路能够实现TDI功能，运算放大器的等效输入噪声为36.1μV，具有低噪声特性。

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