作者:郑洋,曲炳郡,叶双莉,李伟,任天令,刘理天 单位:中国电子科技集团公司第十三研究所 出版:《微纳电子技术》2007年第Z1期 页数:3页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFBDTQ2007Z10720 DOC编号:DOCBDTQ2007Z10729 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
《用于集成磁传感器的热稳定巨磁电阻自旋阀》PDF+DOC2003年第S2期 曲炳郡,任天令,刘华瑞,刘理天,库万军,李志坚 《磁控溅射法制备IrMn顶钉扎自旋阀研究》PDF+DOC2003年第04期 刘华瑞,任天令,曲炳郡,刘理天,库万军,李伟,杨芝茵 《磁电阻传感器的应用及其若干问题》PDF+DOC2012年第02期 方庆清 《巨磁电阻传感器》PDF+DOC2000年第05期 颜冲,于军,周文利,王耘波,谢基凡,高俊雄 《新型磁电材料与磁传感器》PDF+DOC1999年第03期 王海 《巨磁电阻应用的现状与展望》PDF+DOC2003年第01期 胡松青,杨渭 《顶钉扎自旋阀中Ta缓冲层的优化研究》PDF+DOC2003年第S2期 刘华瑞,任天令,刘理天,李伟 《专利集锦》PDF+DOC2014年第03期 《低矫顽力GMR磁传感器的自旋阀结构研究》PDF+DOC2006年第05期 刘鹏,李伟,刘华瑞,叶双莉,任天令,刘理天 《底钉扎与顶钉扎结构在磁传感器中应用研究》PDF+DOC2014年第04期 杜伟伟,唐晓莉,苏桦,张怀武
  • 对一种Ta/NiFeCr/CoFe/Cu/CoFe/MnIr/Ta结构的顶钉扎自旋阀进行了优化。对自旋阀各层材料在整个结构中所起的作用进行了分析,并通过实验,研究自旋阀中每一层的厚度对磁电阻变化率(MR)的影响。最终得到了在80℃下磁电阻变化率高达10.5%的GMR自旋阀。

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