作者：高俊山,林国锋,孙真和 单位：中国自动化学会;黑龙江省自动化学会;黑龙江省科学院自动化研究所 出版：《自动化技术与应用》2007年第01期 页数：3页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFZDHJ2007010380 DOC编号：DOCZDHJ2007010389 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 本文从离子敏场效应晶体管(ISFET)的传感机理出发，利用计算机辅助设计软件(SPICE)建立了ISFET的物理模型。借助此模型，对器件的电学行为进行了模拟，仿真结果与实验数据取得了良好的一致性。

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