作者:仝召民,薛晨阳,张斌珍,王勇 单位:中国微米纳米技术学会;天津大学 出版:《Nanotechnology and Precision Engineering》2007年第03期 页数:5页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFNMJM2007030160 DOC编号:DOCNMJM2007030169 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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  • 针对感应耦合等离子(ICP)刻蚀气室气体分布不均匀性所导致的被刻蚀台面中间厚、边缘薄及干法刻蚀后残余应力大等缺点,进行了GaAs/AlAs的选择性湿法腐蚀工艺研究.腐蚀液为50%一水柠檬酸(C6H8O7.H2O)溶液与30%双氧水(H2O2)的混合物,当二者体积比为3∶1时,GaAs/AlAs的选择比达到79以上.用原子力显微镜(AFM)和扫描电镜(SEM)对腐蚀后的试验片测试后发现,该体积比腐蚀液腐蚀的试验片具有表面粗糙度低、刻蚀各向异性好、选择比高等优点,能够满足传感器加工的需要;结合试验结果,设计了一种待加工梁厚3μm的外延材料结构,并对传感器的加工工艺进行了优化;最后,采用ANSYS对所设计的结构进行了仿真分析,仿真结果表明,该结构具有可行性,可实现水平面内的声学探测。

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