《基于标准CMOS工艺的pH值传感器》PDF+DOC

📙 相关资料

1. 《基于标准CMOS工艺的新型pH值传感器》PDF+DOC 基于0.6μmCMOS工艺设计了一种新型的pH值传感器。多晶硅和双层金属电极形成复合的悬浮栅结构，Si3N4钝化层作为敏感层。传感单元为W/L=500μm/20μm的PMOS管，其阈值电压随溶液pH值线性变化，并通过恒定PMOS管源漏电压和源漏电流控制电路转换成PMOS管源电压线性输出。PMOS管源......
2. 《SiC SBD与MOSFET温度传感器的特性》PDF+DOC 对SiC肖特基势垒二极管(SBD)和金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)温度传感器进行了理论分析与测试。基于器件的工作原理，分析了影响传感器灵敏度的因素，SiC SBD温度传感器的灵敏度主要受理想因子的影响，而SiC MOSFET温度传感器的灵敏度主要受栅氧化层厚度等因素的影响。仿真结果表明......
3. 《基于SOI结构的辐照传感器的辐照响应特性研究》PDF+DOC 绝缘体上硅埋氧层(Silicon-On-Insulator Buried Oxide，SOI BOX)P型金属氧化物半导体场效应晶体管(Positive channel Metal Oxide Semiconductor，PMOS)是用于新型高灵敏度辐射探测仪的一种关键器件。通过试验研究了SOI B......
4. 《垂直耦合悬空型氮化硅微盘光学传感器》PDF+DOC 提出了一种垂直耦合型悬空氮化硅微盘谐振型传感器，该传感器由一个底部非悬空的接入波导和一个顶部悬空的微盘腔组成，并用实验证明了其具有较高的器件灵敏度和良好的机械稳定性。对于半径40μm的微盘，在1548. 98 nm谐振波长下可以实现超过104的品质因数以及大小适中、5. 66 nm的自由光谱范围。该......
5. 《离子敏PH传感器的研究》PDF+DOC 本文介绍了一种采用硅键合ＳＯＩ材料作衬底的离子敏场效应管（ＩＳＦＥＴ）型ＰＨ传感器。这种结构减小了衬底泄漏电流，改善了ＰＨ传感器的温漂特性和时漂特性。本文提出的结构为ＰＨ传感器的实用化开发了新的途径。...
6. 《CMOS差动式流量传感器》PDF+DOC 提出了一种新颖的与硅栅ＣＭＯＳ工艺相兼容的ＣＭＯＳ差动式流量传感器结构，文中对器件敏感机理和电路进行了分析，理论分析与实验结果相吻合。...
7. 《实现MOSFET气体传感器甚高灵敏度的新方法》PDF+DOC 大家知道，通过不同器件的集成(例如不同交叉灵敏度的晶体管或温度测量用二极管)，可以减小交叉灵敏度和温度灵敏度.除此之外，通过几个同类晶体管的集成，能够达到高的灵敏度.器件能够串联和并联连接，本文仅讨论了晶体管的串联使用.恒定模式驱动...
8. 《pH值传感器的故障模式及其预报》PDF+DOC 分析了在线pH值传感器特性，探讨其在线使用中产生的主要故障类型及其模式，提出一种基于时间序列的故障诊断方法，在污水处理系统中应用时，可将系统故障预报准确率从60%～70%提高到95%以上，较好地解决了自动控制系统中故障信息互相关联带来的难题，也为相关控制系统的故障诊断及预测预报提供参考。...
9. 《基于MISFET结构的Pt-NiO混合敏感膜溶解二氧化碳传感器的研究》PDF+DOC 应用碳糊成膜方法，设计一种基于MISFET结构Pt-NiO混合敏感膜的新型溶解二氧化碳传感器.文中对器件进行了测量，给出了不同工作点下器件输出电压变化量△Vrs随着溶解二氧化碳浓度变化的响应曲线.实验结果表明，室温下基于MISFET结构的Pt-NiO混合敏感膜对溶解二氧化碳有很好的敏感性。...
10. 《基于多层水凝胶包覆的光纤布喇格光栅pH值传感器》PDF+DOC 针对现有水凝胶薄膜包覆光纤布喇格光栅pH值传感器响应灵敏度较低的问题，提出了基于多层水凝胶包覆的光纤布喇格光栅pH值传感器的设计，研究了凝胶层厚度对传感器传感性能的影响。...