作者：胡滨,阮爱武,李平,翟亚红,蔡道林 单位：上海交通大学 出版：《上海交通大学学报》2007年第S2期 页数：5页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFSHJT2007S20090 DOC编号：DOCSHJT2007S20099 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 在微传感器系统中，采用多层耐熔金属硅化物互连工艺，克服微传感器与IC芯片单片集成时，铝连线不能承受微传感器制造过程中要求的退火高温，而且此互连结构能在标准CMOS工艺线上加工，降低了制造成本.经流片验证，此互连结构具有台阶覆盖能力强、热稳定性好、电阻率较低、易于干法刻蚀等特点，能满足大规模IC多层互连线要求.由它构成的大规模数模混合集成电路，在退火条件分别为500&#176；C5、h，600&#176；C、30 min，650&#176；C5、min的实验后仍保持性能.以上退火条件符合基于铁电薄膜的微传感器系统单片集成的要求。

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