《腔长损耗对非本征F-P腔光纤传感器的影响》PDF+DOC
作者:吕涛,杜秋姣,毕洁,向东
单位:中国科学院光电技术研究所;中国光学学会
出版:《光电工程》2007年第08期
页数:4页 (PDF与DOC格式可能不同)
PDF编号:PDFGDGC2007080290
DOC编号:DOCGDGC2007080299
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根据光学法布里-珀罗(F-P)腔基本原理,运用单模光纤能量散射模型分析了腔长损耗对非本征F-P腔输出光强度的影响。实验过程中所用的F-P腔由单模光纤端面和弹性硅片组成。实验结果表明,非本征F-P腔输出光强幅度随腔长增大逐渐衰减,其输出特性曲线中不同部分相同周期的线性工作区间却对应不同的测量量程和灵敏度,所以强度型光纤F-P腔传感器初始腔长应基于传感器的性能指标进行选取。
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