作者：李新,庞世信,徐开先,孙承松 单位：中国电子科技集团公司第十三研究所 出版：《微纳电子技术》2007年第Z1期 页数：3页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFBDTQ2007Z10530 DOC编号：DOCBDTQ2007Z10539 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 如何制作与生产适宜高温环境下应用的压力传感器，一直备受关注。在SIMOX技术SOI晶圆的基础上，设计了压力敏感芯片结构，并基于MEMS工艺制作了芯片。电桥采用1mA恒流源供电，在300℃下，满量程输出≥180mV，灵敏度为30~40mV/(mA.MPa)，非线性≤1‰FS，重复性≤1‰FS。与常温测试结果相比，300℃高温下，敏感芯片的静态性能没有明显差异。

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