作者：李辉,孙以材,潘国峰,李金,李鹏 单位：沈阳仪表科学研究院有限公司 出版：《仪表技术与传感器》2007年第05期 页数：4页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFYBJS2007050030 DOC编号：DOCYBJS2007050039 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 论述纳米多晶硅-氮化铝隔膜-硅单晶衬底基片的研制。此基片可供制造高温力学量传感器。其要点是在力敏电阻条与硅弹性膜之间利用AlN进行绝缘隔离。AlN与硅的热膨胀系数接近，附着力高，耐击穿性好。又具有高化学稳定性，高热导率，对于压力传感器的电桥散热特别有利，可解决压力传感器启动时的零点时漂。由于无P-N结，力敏电阻无反向漏电，因此用此基片制造的力学量传感器的特性好(零点电漂移及热漂移小、非线性小)。力敏电阻条由纳米多晶硅构成。利用在600℃退火Al诱导晶化能使溅射得到的非晶硅转化成纳米多晶硅。

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