《基于InSb-In薄膜磁阻元件电流传感器的应用》PDF+DOC
作者:陈科球,黄钊洪
单位:中国电子科技集团公司第十三研究所
出版:《微纳电子技术》2007年第Z1期
页数:3页 (PDF与DOC格式可能不同)
PDF编号:PDFBDTQ2007Z10630
DOC编号:DOCBDTQ2007Z10639
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介绍了一种用InSb-In共晶体薄膜磁阻元件制成的电流传感器(MRCS)。为了检测微弱电流,此种电流传感器利用同时改变两个InSb-In磁阻元件阻值的途径来实现这一目的,设计了一种能较大幅度增大其输出电压的信号处理电路。当处理电路的电压增益为50~10000倍、,待测的50Hz交流电流在50mA~12A时,输出电压在0.3~3.5V变化,并且两者之间有比较好的线性关系,标准偏差小于0.02,完全能满足工业上对电流的监测作用,从而保护因异常情况停止运转的马达。
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