作者：王阳,刘高平,郭锋,尹湘源 单位：中国电子科技集团公司第四十九研究所 出版：《传感器与微系统》2007年第02期 页数：3页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFCGQJ2007020050 DOC编号：DOCCGQJ2007020059 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 随着CMOS工艺的不断发展，将离子敏场效应晶体管(ISFET)传感器与CMOS技术相结合，以达到提高集成度、降低成本、减小系统尺寸、提高系统可靠性。在对与CMOS工艺兼容的ISFET传感器结构模型分析的基础上，研究了一种测量电路，它具有有利于消除体效应的影响、减少共模噪声的影响、克服温度漂移等优点。对该测量电路进行模拟仿真，得到输出电压与pH值之间的关系图，结果表明：其结果与理论模型仿真值基本吻合。

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