作者：吴虹,李延夫 单位：中国电子科技集团公司第十三研究所 出版：《微纳电子技术》2007年第Z1期 页数：3页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFBDTQ2007Z10900 DOC编号：DOCBDTQ2007Z10909 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 为实现硅压力传感器的快速评价和快速提高传感器可靠性的目标，综合分析了国际上先进的可靠性强化试验理论与技术，并应用失效物理学原理，对硅压力传感器可靠性强化试验技术剖面进行了研究性评述。

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