《金属有机化学气相沉积法制备SnO_2/MCM-41半导体传感器及其性能研究》PDF+DOC
作者:刘秀丽,高国华,KAWI Sibudjing
单位:吉林大学
出版:《》
页数:4页 (PDF与DOC格式可能不同)
PDF编号:PDFGDXH2007090020
DOC编号:DOCGDXH2007090029
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采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)法制备了SnO2/MCM-41半导体传感器,考察了沉积时间和沉积温度对SnO2/MCM-41半导体传感器的SnO2沉积量、比表面积和孔径的影响;研究发现,随着SnO2沉积量的增加,孔径有规律地下降,说明SnO2较均匀地沉积在介孔分子筛MCM-41的孔道之中.SnO2/MCM-41半导体传感器对CO和H2具有较高的传感性能,其传感性能的大小与CO和H2的浓度成正比。
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