作者:娄利飞,杨银堂,李跃进,张萍 单位:中国科学院半导体研究所;中国电子学会 出版:《Journal of Semiconductors》2007年第05期 页数:5页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFBDTX2007050290 DOC编号:DOCBDTX2007050299 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
《用于微传感器中PZT压电薄膜的制备和图形化》PDF+DOC2008年第04期 娄利飞,杨银堂,李跃进 《Ansys在PZT压电薄膜微传感器压电分析中的应用》PDF+DOC2005年第07期 娄利飞,杨银堂,张军琴,李跃进 《PZT压电薄膜微传感器的优化设计》PDF+DOC2005年第01期 娄利飞,杨银堂,李跃进,张军琴 《PZT压电薄膜在微传感器中的应用》PDF+DOC2003年第12期 杨冰,杨银堂,李跃进 《基于PZT压电薄膜的压力传感器工艺研究》PDF+DOC2017年第06期 刘园园,谭晓兰 《微电子机械系统计算机辅助设计》PDF+DOC1999年第10期 黄庆安,秦明,李伟华,匡一宁,朱珂,章彬,孟为民,鞠瑜华,严先蔚,张昭勇 《压电薄膜微传感器的动态特性分析》PDF+DOC2005年第03期 娄利飞,杨银堂,李跃进,张军琴 《直流偏置对PZT微传感器的谐振频率的影响》PDF+DOC2005年第04期 王军军,周嘉,黄宜平 《三维压电加速度传感器的设计》PDF+DOC2003年第05期 黄朋生,任天令,楼其伟,刘建设,刘理天 《压电薄膜传感器制备工艺的研究》PDF+DOC 徐贤,黄示,吉磊
  • 对硅基锆钛酸铅(PZT)压电薄膜微传感器进行了结构和版图设计.根据MEMS加工工艺和标准硅基IC工艺的特点,获得了硅基PZT压电薄膜微悬臂梁结构系统工艺流程中的关键工艺技术和典型工艺条件.对PZT压电薄膜的制备和微细图形化进行了较为详细的实验研究,最后成功地制备出硅基PZT压电薄膜微传感器样品.这对集成化芯片系统的进一步发展打下了良好的实验基础。

    提示:百度云已更名为百度网盘(百度盘),天翼云盘、微盘下载地址……暂未提供。