作者： 单位：中国家用电器研究院 出版：《家电科技》2008年第03期 页数：2页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFJYDQ2008030350 DOC编号：DOCJYDQ2008030359 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • NEC电子新型P沟道功率MOSFET和NP系列的其他产品一样，新产品按照AEC-Q101流程制造，额定温度为175℃，纯锡电镀管脚完全符合RoHS要求。雪崩能量从19mJ至550mJ，因芯片不同而有所差异。这一系列低导通电阻

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