作者：金仁成,翁雪军,王立鼎,张五金 单位：中国科学院上海微系统与信息技术研究所;中国材料研究学会 出版：《功能材料与器件学报》2008年第01期 页数：6页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFGNCQ2008010150 DOC编号：DOCGNCQ2008010159 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 应用第一性原理DFT(密度泛函理论)研究了具有(1&#215；1)和(2&#215；1)对称性的SnO2(110)氧化表面、还原表面和缺陷表面的几何结构与电子结构，重点分析了表面氧空穴(O vacancy)对表面电子结构的影响以及对气体分子吸附的影响。研究结果表明，由于表面空穴的存在，SnO2(110)表面能隙中都出现了明显的表面态，由于表面氧的流失而留下来的电荷是产生这些表面态的主要原因，这些电荷主要集中在Sn上和附近的空穴中，与这些电荷相关的轨道是氧化物表面吸附研究的关键。

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