作者：张黎,王伟,李庆民,Siew W H 单位：国家高电压计量站;中国电机工程学会 出版：《高电压技术》2008年第11期 页数：6页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFGDYJ2008110370 DOC编号：DOCGDYJ2008110379 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 为分析和预测由静态无功补偿器(SVC)产生的高频传导电磁干扰，基于晶闸管的动态开关特性，给出了SVC传导干扰仿真的建模方法，它以非线性时变电阻作为晶闸管宏模型的内核，建立含有晶闸管控制电抗器(TCR)支路与晶闸管开关电容器(TSC)支路的SVC仿真模型。模型中晶闸管的动态开关特性由非线性时变电阻阻值的变化来表示。此外，为提高传导干扰预测水平，在仿真模型中还加入了测量传感器的幅频特性校正算法。通过增加一阶导数信息，该校正算法改进了复向量拟合法，以进一步提高拟合精度。SVC传导干扰的仿真结果与现场实测数据相比具有相似性，表明晶闸管的动态开关特性是导致高频传导干扰的主要原因。

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