作者：李怀祥,薛亮,陈鲁生,崔洪泰 单位：山东师范大学 出版：《山东师范大学学报(自然科学版)》2008年第03期 页数：3页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFSDZK2008030220 DOC编号：DOCSDZK2008030229 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 电阻率为15～20Ωcmn型单晶硅在氢氟酸-乙醇溶液中通过光电化学阳极氧化刻蚀后，再经过光氧化处理得到稳定化的多孔硅(porous silicon，PS).在PS结构基础上通过真空蒸镀金属铝(Al)层形成Al/PS/Si/Al纵向结构和PS两端镀铝的Al-PS-Al横向结构.利用多孔硅高比表面积对不同浓度尿素进行吸附后，得到Al/PS-urea/Si/AlorAl-PS-urea-Al结构.研究了上述两种结构的电流电压的半对数关系，结果表明lgI～V曲线与被吸附尿素的含量呈递减关系，浸泡PS的尿素溶液浓度在1μg.ml-1～1mg.ml-1范围内呈线性递减关系.基于这两种结构的多孔硅器件有望实现对尿素的传感。

    📙 相关资料

    1. 《基于热绝缘的多孔硅技术及其在微传感器中的应用》PDF+DOC 介绍了多孔硅的热导率特性以及孔径、孔隙率、热处理等因素对其影响.分析了目前基于热绝缘的多孔硅制备技术发展现状，着重对阶梯电流法和脉冲电流法进行了介绍和比较， 认为脉冲电流法因为其特殊的优势，将在以后的发展中得到更广泛的应用.多孔硅由于其热绝缘特性以及技术优势，已经在微传感器领域得到广泛的应用。...
    2. 《多孔硅湿度传感器研究进展》PDF+DOC 综述了湿度传感器的研究现状。分析了多孔硅湿度传感器的感湿机理，介绍了几种多孔硅湿度传感器的制作工艺及结构，并讨论了它们的优缺点。最后，对多孔硅湿度传感器的应用前景作了展望。...
    3. 《基于多孔硅牺牲层技术的压阻式加速度传感器的分析和设计(英文)》PDF+DOC 分析并设计了一种利用高选择自停止的多孔硅牺牲层技术制作压阻式加速度传感器的工艺 ，并利用外延单晶硅作为传感器的结构材料 ，这种工艺能精确地控制微结构的尺寸 .利用多孔硅作牺牲层工艺 ，使用加入硅粉和(NH4 ) 2 S2 O8的 TMAH溶液通过在薄膜上制作的小孔释放多孔硅...
    4. 《专利技术》PDF+DOC 一种氮氧化物气体传感器元件的制备方法申请(专利)号：201210400849.9公开(公告)日：2013-03-27申请(专利权)人：天津大学摘要：本发明公开了一种氮氧化物气体传感器元件的制备方法，步骤为：(1)对n型单面抛光的单晶硅片进行清洗；(2)采用双槽电化学腐蚀法在硅片的抛光表面制备孔径尺寸......

    提示：百度云已更名为百度网盘（百度盘），天翼云盘、微盘下载地址……暂未提供。