作者：吴梦维,王振铎 单位：西安电子科技大学 出版：《电子科技》2018年第08期 页数：3页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFDZKK2018080220 DOC编号：DOCDZKK2018080229 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 为提高温度传感器的测量精度，同时缩小其面积和功耗，文中设计了一种使用NPN晶体管进行温度测量的完全集成互补型金属氧化物半导体传感器。该传感器主要由偏置电路，运算放大器和热传感器电路组成。偏置电路为传感器提供偏置条件，其由启动电路和β乘法器电路组成。文中采用LTspice and Matlab进行电路设计，并在50 nm工艺下对传感器电路进行仿真，得到所设计的温度传感器在-30~125℃范围内，温度系数为5.9 m V/℃。

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