作者：张昌盛 单位：烟台大学 出版：《烟台大学学报(自然科学与工程版)》2016年第03期 页数：5页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFYTSZ2016030110 DOC编号：DOCYTSZ2016030119 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 利用Al Ga N/Ga N半导体的极化效应在异质结界面产生二维电子气(2DEG)的特性，设计了一种基于高电子迁移率场效应管(HEMT)的压强传感器；并利用标准的微电子工艺和背部深硅刻蚀技术制作了器件；对器件在不同压强下的源-漏I-V特性进行了测试和评价.结果表明本文设计制作的压强传感器的I-V特性对压强的变化能做出灵敏的反应.Ⅲ族氮化物半导体器件具有高速度、高灵敏、大功率和耐高温等特点，本压强传感器具有更广的应用领域。

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