作者： 单位：北京信息科技大学 出版：《传感器世界》2016年第01期 页数：2页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFCGSJ2016010290 DOC编号：DOCCGSJ2016010299 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 氮化钽的刻蚀方法、磁传感器的形成方法申请号：201410006637【公开号】CN103700623A【公开日】2014.04.02【分类号】H01L21/768【申请日】2014.01.07【申请人】上海华虹宏力半导体制造有限公司【发明人】张振兴；奚裴；熊磊【摘要】一种氮化钽的刻蚀方法、磁传感器的形成方法。氮化钽刻蚀方法包括：以图形化的光刻胶层为掩膜，对氮化钽薄膜进行干法刻蚀，形成氮化钽层。干法刻蚀工艺的射频功率≤500W，较低的射频功率使得所形成的刻蚀气体的等离子体的能量较低，对氮化钽薄膜的轰击作用较低，

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