作者：申君君,王巍,王玉青 单位：重庆邮电大学 出版：《重庆邮电大学学报(自然科学版)》2008年第S1期 页数：3页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFCASH2008S10150 DOC编号：DOCCASH2008S10159 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 在4H-SiC肖特基二极管正向电流热电子发射理论基础上，得出了理想因子、势垒高度及串联电阻随温度变化的特性值，并结合考虑三者随温度变化的特性提出了一种计算正向电流密度的理论模型通过对肖特基二极管的正向特性在300～500K的温度范围内的电流电压曲线模拟，表明温度升高对正向特性的影响比较显著，肖特基二极管适合于高温工作，同时表明热电子发射是其主要运输机理

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