作者：黄世震,林伟,王大伟 单位：中国科学院上海微系统与信息技术研究所;中国材料研究学会 出版：《功能材料与器件学报》2008年第01期 页数：4页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFGNCQ2008010380 DOC编号：DOCGNCQ2008010389 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 以三氧化钨为基材，通过掺杂制作了半导体型氯化氢气体传感器，研究元件的气敏特性。以钨酸钠和浓盐酸为反应物，采用溶胶-凝胶法，制备出具有特殊结构的三氧化钨。通过XRD、SEM、TEM等微观分析手段，发现该材料具有层片状结构，结构松散，平均粒径约17纳米。研究发现，掺杂适量的氧化铝可以大大提高三氧化钨对氯化氢气体的灵敏度，但元件稳定性以及选择性比较差，通过掺杂少量的氧化锌，虽然降低了元件的灵敏度，却可以大大提高元件的稳定性，适当提高加热电压，可抑制元件对NO2等气体的灵敏度，提高选择性。本文对三氧化钨的气敏机理及特性进行分析。

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