作者：刘天模,甘浩宇,曾文 单位：重庆大学 出版：《重庆大学学报》2008年第12期 页数：5页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFFIVE2008120040 DOC编号：DOCFIVE2008120049 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 运用共沉淀法制备出纳米ZnSnO3粉末，X射线衍射仪(XRD)分析为纯的ZnSnO3相，透射电镜(TEM)分析表明粒度达到纳米级。利用传统的旁热厚膜制备工艺制备了纯ZnSnO3及其掺杂贵金属的气敏传感器，测试了气敏性能。通过对气体吸附机理和扫描电子显微镜(SEM)对敏感层的分析解释气敏性能提高的原因。结果表明：Ag+、Pd2+的掺杂可提高器件对C2H5OH的灵敏度，对H2敏感度的提高达到15倍以上。掺杂阻碍了基体晶粒的长大，使其表面不规则且有较多气孔，这是气敏性能提高的主要原因。

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