作者:黄晓东,黄见秋,秦明,黄庆安 单位:中国科学院半导体研究所;中国电子学会 出版:《Journal of Semiconductors》2008年第03期 页数:5页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFBDTX2008030070 DOC编号:DOCBDTX2008030079 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
  • 提出了一种新的电容式压力传感器,传感器结构为由Al/SiO2/n-typeSi等三层方形膜构成的固态电容.传感器采用pn结自停止腐蚀和粘结剂键合的方式制造,制造过程仅需三块掩模板.对不同边长传感器进行测试,在410~1010hPa的动态范围,边长为1000,1200和1400μm的压力传感器,相应灵敏度分别为1.8,2.3和3.6fF/hPa.边长为1500μm的传感器,其灵敏度为4.6fF/hPa,全程非线性度为6.4%,最大滞回误差为3.6%.分析结果表明介电常数变化是引起电容变化的主要原因。

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