作者：马斌,梁平治,陈世军,程正喜 单位：中国微米纳米技术学会;天津大学 出版：《Nanotechnology and Precision Engineering》2008年第05期 页数：7页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFNMJM2008050070 DOC编号：DOCNMJM2008050079 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 利用商业化的1.2μm标准CMOS生产流水线，配合无掩模体硅各向异性腐蚀工艺，制造了一种热电堆型真空传感器，器件敏感部分尺寸为124μm&#215；100μm，由5层薄膜组成，最大厚度为3.2μm.采用一种简化方式对传感器建立有限元模型.新模型一方面忽略了气体对流和热辐射的传热作用，另一方面将各层介质和热电堆结构层分别进行了合并.模型具有简单的断面结构，网格划分容易，收敛速度快.运用ANSYS软件对模型进行了电-热、热-电耦合场分析，直接得到了1.5V加热电压驱动时不同压强下的热电堆输出电压，并与0.1~200Pa之间的测试结果进行比较，结果表明，采用简化建模方式的计算结果与测试结果之间的偏差小于6%。

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