《基于0.25μm工艺的低压有源像素传感器研究》PDF+DOC
作者:李晓磊,曾云,张国樑,彭琰,王太宏
单位:中国电子科技集团公司第四十九研究所
出版:《传感器与微系统》2008年第06期
页数:3页 (PDF与DOC格式可能不同)
PDF编号:PDFCGQJ2008060070
DOC编号:DOCCGQJ2008060079
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《CMOS图像传感器技术的进展与应用》PDF+DOC2004年第12期 顾晓,高伟,宋宗玺,郑瑞云
提出了用PMOSFET代替传统的有源像素传感器(APS)中的NMOSFET作为复位晶体管,优化设计CMOS有源像素图像传感器,用0.25μm CMOS工艺进行仿真,结果表明:在相同的条件下,这种器件比传统APS拥有更高的信噪比、更大的输出电压摆幅、更大的动态范围和更快的读出速度。
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