作者：娄利飞,杨银堂,李跃进 单位：中国电子科技集团公司第二十六研究所 出版：《压电与声光》2008年第04期 页数：3页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFYDSG2008040200 DOC编号：DOCYDSG2008040209 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 采用溶胶-凝胶法在Si/Si3N4/Poly-Si/Ti/Pt基片上制备PZT压电薄膜，为了选择更适合微电子机械系统(MEMS)器件的压电薄膜，采用一般热处理和快速热处理对锆钛酸铅(PZT)压电薄膜进行干燥和结晶。首先，采用V(H2O)：V(HCL)：V(HF)=280 mL：120 mL：4drops(4滴HF溶液)配比的腐蚀液在室温下对未结晶的PZT压电薄膜进行了湿法腐蚀微细加工；然后，对图形化好的压电薄膜进行再结晶的热处理，实验结果表明这种方法可用于压电薄膜微器件的制备。

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