作者：朱青云,卢结成,张小波,鄢铭 单位：中国电子科技集团公司第十三研究所 出版：《半导体技术》2008年第01期 页数：4页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFBDTJ2008010070 DOC编号：DOCBDTJ2008010079 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 设计了一种低功耗高动态范围的CMOS图像传感器16&#215；16像素阵列电路，采用条件重置的方法，钟控比较器的低功耗设计及相关时序电路的优化，在扩展CMOS图像传感器的动态范围下，极大地降低了系统的功耗。实验表明，基于标准CSM 0.35μm 2P4M CMOS工艺，用HSPICE仿真，动态范围最大可以达到普通传感器的4倍，在3.3 V下每列功耗仅为6.6μW。

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