作者：马斌,梁平治,陈世军,程正喜 单位：中国电子科技集团公司第48研究所 出版：《微细加工技术》2008年第02期 页数：6页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFWXJS2008020060 DOC编号：DOCWXJS2008020069 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 发展了一种与CMOS工艺完全兼容并可在商业化的1.2μm标准CMOS生产流水线上进行流片的硅基热电堆真空传感器的制造技术与流程。传感器为悬浮的多层复合薄膜结构，其上制作了n型多晶硅加热器和20对由p型多晶硅条和铝条构成的热电堆。利用标准制造工艺中铝层图形的掩蔽作用，使用干法刻蚀工艺一方面去除了传感器表面的SiNx层，使复合介质薄膜减至三层介质，即场氧化层、硼磷硅玻璃和层间介质，从而提高了传感器响应率；另一方面去除了传感器区域内腐蚀孔中的多层介质，将其中的硅衬底裸露，以便完成后续的四甲基氢氧化铵(TMAH)体硅各向异性腐蚀工艺，使传感器成为悬浮绝热结构，这种工艺具备铝保护性能，因此腐蚀中无需任何掩模。最终得到的器件尺寸为124μm&#215；100μm，在空气压强为0.1 Pa~105Pa之间的响应电压为26 mV~50 mV，响应时间为0.9 ms~1.3 ms。这种器件的制造技术具有工艺简单、成品率高、成本低、重复性好等特点。

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