《硅玻璃阳极键合绝压压阻式压力传感器中的残余应力》PDF+DOC
作者:许东华,张兆华,林惠旺,刘理天,任天令
单位:中国科学院上海微系统与信息技术研究所;中国材料研究学会
出版:《功能材料与器件学报》2008年第02期
页数:5页 (PDF与DOC格式可能不同)
PDF编号:PDFGNCQ2008020370
DOC编号:DOCGNCQ2008020379
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硅玻璃阳极键合技术因键合强度高,工艺简单而成为低成本绝压压力传感器的主要封装技术。但由于常规的硅玻璃阳极键合需要在相对较高的温度下进行且材料之间不可避免的热膨胀系数失配将产生较大的残余应力。实验采用有限元方法对硅玻璃阳极键合进行了系统的力学分析以减小残余应力对器件性能的影响。实验中采用硅玻璃阳极键合技术制备了不同压敏膜厚度和尺寸的传感器并测试其曲率与零点以对残余应力进行分析验证。
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